BSL372SNH6327XTSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSL372SNH6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	BSL372SNH6327XTSA1-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSL372SNH6327XTSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 2A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-TSOP6-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	220mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,8V przy 218µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	329 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSOP6-6
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

BSL372SNH6327XTSA1