Name: BSL307SPH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSL307SPH6327XTSA1TR-ND
Price: 4.3665 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSL307SPH6327XTSA1
Numer produktu DigiKey	BSL307SPH6327XTSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSL307SPH6327XTSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSL307SPH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSL307SPH6327XTSA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 5,5A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy PG-TSOP-6-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSL307SPH6327XTSA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,5A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	43mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 40µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	805 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSOP-6-1
Obudowa / skrzynia	SC-74, SOT-457
Bazowy numer produktu	BSL307