Name: BSC12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND
Price: 8.4378 PLN
Availability: InStock

BSC12DN20NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC12DN20NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC12DN20NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC12DN20NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC12DN20NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 200 V 11,3A (Tc) 50W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC12DN20NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	125mOhm przy 5,7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 25µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	680 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	50W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC12DN20

Cena jednostkowa bez VAT:	6,86000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,43780 zł

BSC12DN20NS3GATMA1