BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSC120N03MSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC120N03MSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC120N03MSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC120N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC120N03MSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC120N03MSGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Ta), 39A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1500 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC120

Cena jednostkowa bez VAT:	3,30000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	4,05900 zł

BSC120N03MSGATMA1