Name: BSC118N10NSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC118N10NSGATMA1TR-ND
Price: 9.3603 PLN
Availability: InStock

BSC118N10NSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC118N10NSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC118N10NSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC118N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC118N10NSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 11A (Ta), 71A (Tc) 114W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC118N10NSGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Ta), 71A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11,8mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 70µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3700 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	114W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC118

Cena jednostkowa bez VAT:	7,61000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,36030 zł

BSC118N10NSGATMA1