Name: BSC109N10NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC109N10NS3GATMA1TR-ND
Price: 9.471 PLN
Availability: InStock

BSC109N10NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC109N10NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC109N10NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC109N10NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC109N10NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC109N10NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	63A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,9mOhm przy 46A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 45µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2500 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	78W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC109

Cena jednostkowa bez VAT:	7,70000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,47100 zł

BSC109N10NS3GATMA1