Name: BSC098N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC098N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 8.8314 PLN
Availability: InStock

BSC098N10NS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC098N10NS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC098N10NS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC098N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC098N10NS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 60A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC098N10NS5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,8mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 36µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2100 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-7
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC098

Cena jednostkowa bez VAT:	7,18000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,83140 zł

BSC098N10NS5ATMA1