Name: BSC0902NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0902NSIATMA1TR-ND
Price: 5.4612 PLN
Availability: InStock

BSC0902NSIATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC0902NSIATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC0902NSIATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC0902NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC0902NSIATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC0902NSIATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,8mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1500 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 48W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-6
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC0902

Cena jednostkowa bez VAT:	4,44000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	5,46120 zł

BSC0902NSIATMA1