BSC0704LSATMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

BSC0704LSATMA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Infineon Technologies

W magazynie: 13 893

Cena jednostkowa : 1,12000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC0704LSATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC0704LSATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC0704LSATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC0704LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC0704LSATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 11A (Ta), 47A (Tc) 2,1W (Ta), 36W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC0704LSATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Ta), 47A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,4mOhm przy 24A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 14µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1300 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-6
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC0704