Name: BSC057N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC057N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 12.6321 PLN
Availability: InStock

BSC057N08NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC057N08NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC057N08NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC057N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC057N08NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 114W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC057N08NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	80 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	16A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	5,7mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 73µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3900 pF @ 40 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 114W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC057

Cena jednostkowa bez VAT:	10,27000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,63210 zł

BSC057N08NS3GATMA1