BSC046N02KSGAUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC046N02KSGAUMA1
Numer produktu DigiKey	BSC046N02KSGAUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC046N02KSGAUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC046N02KSGAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC046N02KSGAUMA1
Opis	MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 19A (Ta), 80A (Tc) 2,8W (Ta), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC046N02KSGAUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,2V przy 110µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27.6 nC @ 4.5 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4100 pF @ 10 V
Status części Nieaktualne	Straty mocy (maks.) 2,8W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-1
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 19A (Ta), 80A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 2,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu BSC046
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 4,6mOhm przy 50A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
BSC026NE2LS5ATMA1	Infineon Technologies	16 375	BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND	15,60000 zł	MFR Recommended
CSD16340Q3	Texas Instruments	4 235	296-25646-1-ND	16,33000 zł	Similar