Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 14.883 PLN
Availability: InStock

BSC042NE7NS3GATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC042NE7NS3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC042NE7NS3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,2mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 91µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4800 pF @ 37.5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC042

Cena jednostkowa bez VAT:	12,10000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	14,88300 zł

BSC042NE7NS3GATMA1