BSC042N03MSGATMA1 Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC042N03MSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC042N03MSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC042N03MSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC042N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC042N03MSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 17A/93A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 17A (Ta), 93A (Tc) 2,5W (Ta), 57W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC042N03MSGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	17A (Ta), 93A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,2mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4300 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC042