Name: BSC034N10LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC034N10LS5ATMA1TR-ND
Price: 11.0331 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC034N10LS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC034N10LS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC034N10LS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC034N10LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC034N10LS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 156W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC034N10LS5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ 5
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,4mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 115µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	46 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6500 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 156W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-7
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC034

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 18 391

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®