Name: BSC030N10NS5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC030N10NS5SCATMA1TR-ND
Price: 20.1351 PLN
Availability: OutOfStock

Kanał N 100 V 171A (Tc) 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WSON-8-2

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC030N10NS5SCATMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSC030N10NS5SCATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSC030N10NS5SCATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSC030N10NS5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC030N10NS5SCATMA1
Opis	TRENCH >=100V
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 171A (Tc) 188W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-WSON-8-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC030N10NS5SCATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,8V przy 115µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 88 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6500 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 188W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-WSON-8-2
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 171A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu BSC030
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm przy 50A, 10V