BSC030N04NSGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSC030N04NSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC030N04NSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC030N04NSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC030N04NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC030N04NSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC030N04NSGATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 49µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	61 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4900 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC030

Cena jednostkowa bez VAT:	5,53000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	6,80190 zł

BSC030N04NSGATMA1