Name: BSC030N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC030N03MSGATMA1TR-ND
Price: 6.4083 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC030N03MSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC030N03MSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC030N03MSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC030N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC030N03MSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 21A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC030N03MSGATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 73 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5700 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-1
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 21A (Ta), 100A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu BSC030
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3mOhm przy 30A, 10V