Name: BSC027N10NS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC027N10NS5ATMA1TR-ND
Price: 25.1781 PLN
Availability: InStock

BSC027N10NS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC027N10NS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC027N10NS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC027N10NS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC027N10NS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 23A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC027N10NS5ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	23A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,7mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 146µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	8200 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-3
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC027

Cena jednostkowa bez VAT:	20,47000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	25,17810 zł

BSC027N10NS5ATMA1