BSC025N03LSGATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

BSC025N03LSGATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC025N03LSGATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC025N03LSGATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC025N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC025N03LSGATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-5
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6100 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-5
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC025

Cena jednostkowa bez VAT:	7,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	8,65920 zł

BSC025N03LSGATMA1