Name: BSC018NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC018NE2LSATMA1TR-ND
Price: 7.4046 PLN
Availability: InStock

BSC018NE2LSATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC018NE2LSATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC018NE2LSATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC018NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC018NE2LSATMA1
Opis	MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-1
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC018NE2LSATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	29A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,8mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2800 pF @ 12 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-1
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC018

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
5 000	1,49173 zł	7 458,65 zł
10 000	1,42655 zł	14 265,50 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	6,02000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	7,40460 zł

BSC018NE2LSATMA1