Name: BSC016N06NSTATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC016N06NSTATMA1TR-ND
Price: 17.466 PLN
Availability: InStock

BSC016N06NSTATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC016N06NSTATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC016N06NSTATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC016N06NSTATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC016N06NSTATMA1
Opis	MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 31A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC016N06NSTATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nie do nowych projektów
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	31A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,6mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,3V przy 95µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6500 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8, FL
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC016

Cena jednostkowa bez VAT:	14,20000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	17,46600 zł

BSC016N06NSTATMA1