Name: BSC011N03LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC011N03LSIATMA1TR-ND
Price: 9.2988 PLN
Availability: InStock

BSC011N03LSIATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC011N03LSIATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC011N03LSIATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC011N03LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC011N03LSIATMA1
Opis	MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC011N03LSIATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	37A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,1mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4300 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TDSON-8-7
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	BSC011

Cena jednostkowa bez VAT:	7,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,29880 zł

BSC011N03LSIATMA1