Name: BSC009NE2LS5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND
Price: 10.5165 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC009NE2LS5ATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC009NE2LS5ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC009NE2LS5ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC009NE2LS5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC009NE2LS5ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 25V 41A/223A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 41A (Ta), 223A (Tc) 2,5W (Ta), 74W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC009NE2LS5ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 57 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™ 5	Vgs (maks.) ±16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3900 pF @ 12 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25 V	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8-7
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 41A (Ta), 223A (Tc)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu BSC009
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,9mOhm przy 30A, 10V