Kanał N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AUIRFS8409

Numer produktu DigiKey
IRAUIRFS8409-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
AUIRFS8409
Opis
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
AUIRFS8409 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
195A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,2mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,9V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
450 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
14240 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
375W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO263-3
Obudowa / skrzynia
TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu
IRFS8409
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.