AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | Półprzewodniki dyskretne

AUIRFS3107-7P jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 33

Cena jednostkowa : 23,68000 zł

Similar

Nexperia USA Inc.

W magazynie: 2 378

Cena jednostkowa : 16,10000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 871

Cena jednostkowa : 28,66000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AUIRFS3107-7P
Numer produktu DigiKey	AUIRFS3107-7P-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AUIRFS3107-7P
Opis	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK (7 odprowadzeń)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	75 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	240A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,6mOhm przy 160A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9200 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	370W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK (7 odprowadzeń)
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)