Name: AUIRF7799L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7799L2TR-ND
Price: 39.3969 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AUIRF7799L2TR
Numer produktu DigiKey	448-AUIRF7799L2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AUIRF7799L2TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AUIRF7799L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AUIRF7799L2TR
Opis	MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 250 V 375A (Tc) 4,3W (Ta), 125W (Tc) Montaż powierzchniowy Izometryczny L8 DirectFET™
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	AUIRF7799L2TR Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	HEXFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	250 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	375A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	38mOhm przy 21A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	6714 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	4,3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Izometryczny L8 DirectFET™
Obudowa / skrzynia	Izometryczny L8 DirectFET™
Bazowy numer produktu	AUIRF7799