Name: AIMCQ120R160M1TXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1TR-ND
Price: 36.3342 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMCQ120R160M1TXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMCQ120R160M1TXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMCQ120R160M1TXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMCQ120R160M1TXTMA1
Opis	SIC_DISCRETE
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 18,6A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HDSOP-22
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18,6A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	200mOhm przy 5A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5.1V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	350 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HDSOP-22
Obudowa / skrzynia	Moduł 22-PowerBSOP