Name: AIMBG75R140M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG75R140M1HXTMA1TR-ND
Price: 27.5151 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

AIMBG75R140M1HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-AIMBG75R140M1HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-AIMBG75R140M1HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-AIMBG75R140M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	AIMBG75R140M1HXTMA1
Opis	SICFET N-CH 750V 17A TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 750 V 17A (Tc) 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7-12
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12 nC @ 18 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) +25V, -10V
Seria CoolSiC™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 351 pF @ 500 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 100W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia SiCFET (węglik krzemu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 750 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 17A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO263-7-12
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V, 20V	Obudowa / skrzynia TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 129mOhm przy 4,7A, 20V	Bazowy numer produktu AIMBG75
Vgs(th) (maks.) przy Id 5,6V przy 1,7mA