Kanał N 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ ST
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

64-9144

Numer produktu DigiKey
64-9144TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
64-9144
Opis
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 30 V 14A (Ta), 55A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Montaż powierzchniowy DIRECTFET™ ST
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
HEXFET®
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
14A (Ta), 55A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
8,1mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,35V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1300 pF @ 15 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
2,1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura robocza
-40°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
DIRECTFET™ ST
Obudowa / skrzynia
Izometryczny ST DirectFET™
Bazowy numer produktu
IRF6617
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Rodzaje opakowań alternatywnych.