Nowy produkt
Kanał N 200 V 172A (Tc) 428W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IS20M6R3S1P

Numer produktu DigiKey
6500-IS20M6R3S1P-ND
Producent
iDEAL Semiconductor
Numer produktu producenta
IS20M6R3S1P
Opis
MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
Standardowy czas realizacji przez producenta
12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 200 V 172A (Tc) 428W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
iDEAL Semiconductor
Seria
SuperQ™
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
172A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
6,3mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,1V przy 300µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
10777 pF @ 100 V
Straty mocy (maks.)
428W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
TO-220-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 982
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
127,04000 zł27,04 zł
5014,56140 zł728,07 zł
10013,35810 zł1 335,81 zł
50011,27894 zł5 639,47 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:27,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:33,25920 zł
Mogą Cię również zainteresować
1 Pozycje
IS20M028S1P

IS20M028S1P

MOSFET N-CH 200V 41A TO-220

iDEAL Semiconductor

15,26000 zł