Name: IRF9530
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRF9530-ND
Price: 8.78921 PLN
Availability: InStock

Kanał P 100 V 12A (Tc) 75W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IRF9530
Numer produktu DigiKey	2156-IRF9530-ND
Producent	Harris Corporation
Numer produktu producenta	IRF9530
Opis	MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 100 V 12A (Tc) 75W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IRF9530 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Harris Corporation	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 45 nC @ 10 V
Opakowanie Zbiorcze	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 500 pF @ 25 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 75W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Otwór przelotowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 12A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 300mOhm przy 6,5A, 10V	Obudowa / skrzynia TO-220-3

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 993

Bez możliwości anulowania i zwrotu

PRODUKT Z PLATFORMY HANDLOWEJ

Wysyłka nastąpi w ciągu 10 dni od daty Rochester Electronics LLC

Obowiązywać będzie odrębna zryczałtowana opłata spedycyjna 326,76 zł

Maksymalny limit zakupu

Aby wspierać prace badawczo rozwojowe wszystkich naszych klientów, ten produkt jest objęty maksymalnym limitem zakupu. Limit obowiązuje na zakupy w okresie 30 dni, a zamówienia powyżej limitu mogą być anulowane.

Zbiorcze:

2993

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze