Name: SSFB3909
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 4786-SSFB3909TR-ND
Price: 1.2423 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSFB3909
Numer produktu DigiKey	4786-SSFB3909TR-ND - Taśma i szpula (TR) 4786-SSFB3909CT-ND - Taśma cięta (CT) 4786-SSFB3909DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Good-Ark Semiconductor
Numer produktu producenta	SSFB3909
Opis	MOSFET, P-CH, SINGLE, -12A, -30V
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 6,1A (Ta), 12A (Tc) 7,1W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-DFN (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSFB3909 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,2V przy 250µA
Prod. Good-Ark Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 15 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1280 pF @ 15 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 7,1W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,1A (Ta), 12A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-DFN (2x2)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 30mOhm przy 4A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 14 610

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)