Name: GT060N04D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT060N04D3TR-ND
Price: 5.0307 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT060N04D3
Numer produktu DigiKey	3141-GT060N04D3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-GT060N04D3CT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-GT060N04D3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT060N04D3
Opis	N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 56A (Tc) 60W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (3,15x3,05)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,5mOhm przy 30A, 10V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria SGT	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1280 pF @ 20 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 60W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 56A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DFN (3,15x3,05)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN