Name: GT038P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT038P06MTR-ND
Price: 18.5976 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT038P06M
Numer produktu DigiKey	3141-GT038P06MTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-GT038P06MCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-GT038P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT038P06M
Opis	MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 200A (Tc) 350W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Goford Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	200A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,5mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	386 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11988 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB