Name: GT015N06TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-GT015N06TLTR-ND
Price: 4.997 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT015N06TL
Numer produktu DigiKey	4822-GT015N06TLTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	GT015N06TL
Opis	MOSFET N-CH 60V 350A 350W 1m(ma
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 350A (Tc) 350W (Tc) Montaż powierzchniowy TOLL-8L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Goford Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	350A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	10694 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	350W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TOLL-8L
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN