Name: G1K3N10G
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G1K3N10GTR-ND
Price: 3.2718 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G1K3N10G
Numer produktu DigiKey	3141-G1K3N10GTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-G1K3N10GCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-G1K3N10GDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	G1K3N10G
Opis	N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 5A (Tc) 1,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SOT-89
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 130mOhm przy 5A, 10V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 644 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-89
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-243AA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,66000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	3,27180 zł

G1K3N10G