Name: G135P04D3
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G135P04D3TR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Nowości w DigiKey

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G135P04D3
Numer produktu DigiKey	3141-G135P04D3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-G135P04D3CT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-G135P04D3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	G135P04D3
Opis	MOSFET P-CH -40V 25A 8-POWERVDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 25A (Tc) 31W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-DFN (3,15x3,05)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14mOhm przy 10A, 10V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria Trench	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 33 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2300 pF @ 20 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 31W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 25A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-DFN (3,15x3,05)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 828

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)