Name: G040P04M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G040P04MTR-ND
Price: 14.7108 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G040P04M
Numer produktu DigiKey	3141-G040P04MTR-ND - Taśma i szpula (TR) 3141-G040P04MCT-ND - Taśma cięta (CT) 3141-G040P04MDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Goford Semiconductor
Numer produktu producenta	G040P04M
Opis	MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 180A (Tc) 178W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,5mOhm przy -15A,- 10V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 206 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 14983 pF @ 20 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 178W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 180A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 280

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	11,96000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	14,71080 zł

G040P04M