Name: GD30MPS12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-GD30MPS12J-TR-ND
Price: 46.6785 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GD30MPS12J-TR
Numer produktu DigiKey	1242-GD30MPS12J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1242-GD30MPS12J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1242-GD30MPS12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	GeneSiC Semiconductor
Numer produktu producenta	GD30MPS12J-TR
Opis	DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Diody 1200 V 59A Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	GeneSiC Semiconductor
Seria	SiC Schottky MPS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	1200 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	59A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.8 V @ 30 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	20 µA @ 1200 V
Pojemność przy Vr, F	1101pF przy 1V, 1MHz
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C