G3R75MT12J Navitas Semiconductor, Inc. | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

G3R75MT12J
Numer produktu DigiKey	1913-G3R75MT12J-ND
Producent	Navitas Semiconductor, Inc.
Numer produktu producenta	G3R75MT12J
Opis	SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	G3R75MT12J Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Navitas Semiconductor, Inc.
Seria	G3R™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	42A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	90mOhm przy 20A, 15V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,69V przy 7,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	±15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1560 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	224W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
Bazowy numer produktu	G3R75

G3R75MT12J