Name: G3R160MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R160MT12J-TR-ND
Price: 32.6811 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3R160MT12J-TR
Numer produktu DigiKey	1242-G3R160MT12J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1242-G3R160MT12J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1242-G3R160MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	GeneSiC Semiconductor
Numer produktu producenta	G3R160MT12J-TR
Opis	1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 19A (Tc) 110W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	GeneSiC Semiconductor
Seria	G3R™, LoRing™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	19A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	180mOhm przy 10A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,7V przy 5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	23 nC @ 15 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	724 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	110W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA