Name: G3F65MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F65MT12K-ND
Price: 52.5825 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G3F65MT12K
Numer produktu DigiKey	1242-G3F65MT12K-ND
Producent	GeneSiC Semiconductor
Numer produktu producenta	G3F65MT12K
Opis	1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 35A (Tc) 153W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	GeneSiC Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiC (tranzystor złączowy z węglika krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	86mOhm przy 15A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,3V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1298 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	153W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 578

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	42,75000 zł	42,75 zł
10	29,67200 zł	296,72 zł
100	22,29120 zł	2 229,12 zł
500	20,63326 zł	10 316,63 zł

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.