
G2R50MT33K | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1242-G2R50MT33K-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | G2R50MT33K |
Opis | 3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | G2R50MT33K Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 3300 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 50mOhm przy 40A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 10mA (typ.) | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 340 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 7301 pF @ 1000 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 536W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 1 082,15000 zł | 1 082,15 zł |
| 10 | 1 015,98700 zł | 10 159,87 zł |
| 25 | 990,80600 zł | 24 770,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1 082,15000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1 331,04450 zł |








