Name: G2R1000MT17J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G2R1000MT17J-TR-ND
Price: 28.9911 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

G2R1000MT17J-TR
Numer produktu DigiKey	1242-G2R1000MT17J-TR-ND - Taśma i szpula (TR) 1242-G2R1000MT17J-TRCT-ND - Taśma cięta (CT) 1242-G2R1000MT17J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	GeneSiC Semiconductor
Numer produktu producenta	G2R1000MT17J-TR
Opis	1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 5A (Tc) 44W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263-7
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	GeneSiC Semiconductor
Seria	G2R™, LoRing™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,2Ohm przy 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	11 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	139 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	44W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA