
FQB9N25CTM | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 2156-FQB9N25CTM-ND |
Producent | Fairchild Semiconductor |
Numer produktu producenta | FQB9N25CTM |
Opis | MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 250 V 8,8A (Tc) 3,13W (Ta), 74W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Nieaktualne | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 250 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 430mOhm przy 4,4A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 710 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3,13W (Ta), 74W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia |
| Zbiorcze: | 3222 |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 308 | 3,55834 zł | 1 095,97 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 3,55834 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 4,37676 zł |

