Name: EPC2372ENGRT
Brand: EPC
SKU: 917-EPC2372ENGRTTR-ND
Price: 29.7291 PLN
Availability: OutOfStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

EPC2372ENGRT
Numer produktu DigiKey	917-EPC2372ENGRTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 917-EPC2372ENGRTCT-ND - Taśma cięta (CT) 917-EPC2372ENGRTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	EPC
Numer produktu producenta	EPC2372ENGRT
Opis	TRANS GAN 25V DIE,0.37 MOHM,5PIN
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 101A (Tj) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany 5-QFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 0,37mOhm przy 20A, 5V
Prod. EPC	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 24mA
Seria eGaN®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 27 nC @ 5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +6V, -4V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4224 pF @ 12 V
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -40°C - 150°C (TJ)
Technologia GaNFET (azotek galu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
Napięcie dren-źródło (Vdss) 25 V	Obudowa dostawcy urządzenia 5-QFN (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 101A (Tj)	Obudowa / skrzynia 5-PowerWQFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 5V