Name: DIW120SIC028
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW120SIC028-ND
Price: 149.2359 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DIW120SIC028
Numer produktu DigiKey	4878-DIW120SIC028-ND
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DIW120SIC028
Opis	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 118A,
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 118A (Tc) 715W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DIW120SIC028 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diotec Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	118A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	28mOhm przy 80A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 25mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	373 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+20V, -5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5691 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	715W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 140

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	121,33000 zł	121,33 zł
30	79,71733 zł	2 391,52 zł
120	78,37250 zł	9 404,70 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.