Kanał N 650 V 150A (Tc) 550W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DIW065SIC015

Numer produktu DigiKey
4878-DIW065SIC015-ND
Producent
Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta
DIW065SIC015
Opis
SICFET N-CH 650V 150A TO-247-3
Standardowy czas realizacji przez producenta
10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 150A (Tc) 550W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
DIW065SIC015 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Diotec Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
15mOhm przy 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 15mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
236 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+15V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
7169 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
550W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 142
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
1121,09000 zł121,09 zł
3079,53467 zł2 386,04 zł
12078,13933 zł9 376,72 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:121,09000 zł
Cena jednostkowa z VAT:148,94070 zł