Name: DIW065SIC015
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIW065SIC015-ND
Price: 148.6086 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DIW065SIC015
Numer produktu DigiKey	4878-DIW065SIC015-ND
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DIW065SIC015
Opis	SIC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A,
Standardowy czas realizacji przez producenta	10 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 150A (Tc) 550W (Tc) Otwór przelotowy TO-247
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DIW065SIC015 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diotec Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	150A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15mOhm przy 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 15mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	236 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+15V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	7169 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	550W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247
Obudowa / skrzynia	TO-247-3

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 145

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	120,82000 zł	120,82 zł
30	79,35233 zł	2 380,57 zł
120	77,96042 zł	9 355,25 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.