Name: DIF120SIC022
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DIF120SIC022-ND
Price: 130.8228 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DIF120SIC022
Numer produktu DigiKey	4878-DIF120SIC022-ND
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DIF120SIC022
Opis	SIC MOSFET, TO-247-4L, N, 120A,
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 120A (Tc) 340W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DIF120SIC022 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diotec Semiconductor
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22,3mOhm przy 75A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 23,5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	269 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+18V, -4V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4817 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	340W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 150

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	106,36000 zł	106,36 zł
30	69,05800 zł	2 071,74 zł
120	66,41067 zł	7 969,28 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.