Name: DI110N04PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI110N04PQTR-ND
Price: 3.6654 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DI110N04PQ
Numer produktu DigiKey	4878-DI110N04PQCT-ND - Taśma cięta (CT) 4878-DI110N04PQDKR-ND - Digi-Reel® 4878-DI110N04PQTR-ND
Producent	Diotec Semiconductor
Numer produktu producenta	DI110N04PQ
Opis	MOSFET POWERQFN 5X6 N 40V
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 110A (Tc) 55,5W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-QFN (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DI110N04PQ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Diotec Semiconductor	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 48 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma cięta (CT) Digi-Reel® Zbiorcze	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2980 pF @ 25 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 55,5W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-QFN (5x6)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,5mOhm przy 23A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®